フラッシュメモリは、データを書き込んだり読み出したりすることができる記憶装置の一種です。1987年に東芝によって開発されました。 電源を切っても記憶を失わないという特徴がある一方で、データの消去を一瞬で行えるという特徴も持っていること ...

2018年8月に開催されたフラッシュメモリの展示会・講演会イベント「Flash Memory Summit」で、NANDフラッシュメモリのメーカー各社が次世代の製品やアーキテクチャのロードマップを明らかにした。 予想された通り、Intel、Micron Technology、SK Hynix、東芝メモリの各 ...

高速アクセスだからこそ気になる耐久性。対策は？ NAND型フラッシュメモリはデータを書き込む際に、まず既存のデータを ...

Micron Technologyが次世代(第4世代)の3D NANDフラッシュの開発では、現行世代(第3世代)まで採用していた浮遊ゲート(フローティングゲート)方式のメモリセルではなく、電荷捕獲(チャージトラップ)方式のメモリセルを採用することを明らかにした。2018年8月7日に ...

NAND型フラッシュメモリは、不揮発性の記憶装置である「フラッシュメモリ」の一種です。フラッシュメモリは、電源を切っても記憶を保持することが可能、小型軽量、振動や衝撃に強い、動作音もなく、消費電力が低い、といった利点がある記憶装置です。

マイコン(マイクロコントローラ)やSoC(System on a Chip)などが内蔵するフラッシュメモリの微細化と高密度化が、限界に達しようとしている。製造技術の世代(技術ノード)で表現すると40nm世代のフラッシュマイコンで、限界が見えはじめた。 CMOSロジックの微細化 ...

世界初、QLC技術を用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH(TM)」の開発について 当社は、世界で初めて（注1）4ビット/セル ...

調査会社の米Gartnerは、NAND型フラッシュメモリカードの価格低下と、同メモリカードを搭載した消費者向け機器の売上増により、今後世界におけるフラッシュメモリカードの売上げが増加すると見ている。 Gartnerは11日（米国時間）、フラッシュメモリカード ...

サーベイレポート合同会社は、2025年11月に調査レポート「NANDフラッシュメモリ市場はタイプ別（シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセル、クアッドレベルセル、ペンタレベルセル）、アプリケーション別（カメラ、ラップトップとPC ...

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「日本のフラッシュメモリ市場レポート：種類別、エンドユーザー別、地域別2026-2034年」（IMARC Group）の ...