オンセミ（本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、新製品となる最新の第7世代1200V QDual3絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）パワーモジュールを発表しました。新製品のパワーモジュールは、高い電力密度を提供し、市販されている他の ...

ドイツのInfineon Technologiesがハイブリッドカー (HEV)/電気自動車 (EV)用のIGBT (絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)モジュールの高効率化を進めている。IGBTはシリコンで最も電流容量のとれるトランジスタである。IGBTチップとダイオードを2個ずつ集積したモジュールをハーフブリッジICとして ...

2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

高電圧電力変換IC専業ファブレスである米Power Integrationsは、100mm×140mmのデュアルIGBTモジュール向け「SCALE-iFlex」シングル ...

産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュール CM1800DW-24ME 三菱電機株式会社は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向けパワー半導体モジュールの新製品として、「産業用LV100タイプ 1.2kV IGBT（※1）モジュール」のサンプル提供を2月15日に開始します。

オンセミ、再生可能エネルギーアプリケーション設計の簡素化とコスト削減を実現する第7世代IGBTモジュールを発表 QDual3モジュールは同じフォームファクタと熱しきい値で10%高い電力を供給 オンセミ（本社 : 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq : ON（ https ...

*****「1200 V IGBTモジュールの世界市場」（～2030年までの市場規模予測）資料を発行 ***** H&Iグローバルリサーチ株式会社（本社：東京都中央区）は、「世界の1200 V IGBTモジュール市場」調査レポートを発行・販売します。1200 V IGBTモジュールの世界市場規模 ...

IGBTモジュールは単体素子の基礎上にICドライバーと各種ドライブ保護回路を内蔵し、より高度なパッケージング技術を採用した製品である。同モジュールは複数のIGBTチップとFRD（高速リカバリーダイオード）チップを特定の回路でパッケージングした ...

This paper presents a novel 3-phase IGBT module called the SPM (Smart Power Module). This is a new design developed to provide a very compact, low cost, high perfor- mance and reliable motor drive ...